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HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩壓器，專用于高性能和高頻設計。與傳統QR 反激式穩壓器不同，HFG610-65 中的頻率折返功能可確保全負載范圍內的高效率。

HFG610-65 是一款基于副邊調節 (SSR) 的原邊調節器，它必須與副邊反饋電路（例如 TL431 和光耦合器）配合使用。其高頻率縮小了無源元件的尺寸并實現了更高的功率密度。HFG610-65 還集成了高壓啟動和 X 電容放電電路，并在突發模式下具有超低靜態電流 (IQ)，因此空載功耗低于 30mW。

該器件采用專有谷值鎖定技術，可抑制運行過程中的谷值跳躍，因此可避免噪聲的產生。它還具有寬VCC電壓（VCC）范圍，因此適用于具有寬輸出電壓（VOUT）范圍的應用，而且無需添加輔助繞組。

HFG610-65 具有先進的保護功能，包括原邊采樣輸出過壓保護 (ZCD OVP)、原邊采樣輸出欠壓保護 (ZCD UVP)、VCC 過壓保護 (VCC OVP)、輸出過載保護 (OLP) 、內部欠壓保護和開啟 (B/O和B/I)、短路保護 (SCP)、電流采樣開路/短路保護 (CSOP/SSP)、內部過溫關斷 (OTP)保護和欠壓鎖定（UVLO）保護。

HFG610-65 采用 QFN-25 (7mmx7mm) 封裝。

產品特性和優勢

集成 700V/165mΩ GaN HEMT

創新專有準諧振 (QR) 控制，可消除可聞噪聲

頻率折返功能和突發模式可實現低輕載功耗

超寬 VCC 電壓 (VCC) 范圍，適用于 USB 供電 (PD) 應用

內置 X 電容放電器

內置高壓啟動電路

采用 PD 協議 IC ，具有超低待機功耗 (<30mW)

峰值電流模式控制和前沿消隱

欠壓鎖定 (UVLO)保護