2024年11月12日 英國劍橋- 無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD今日與全球領先的連接和電源解決方案提供商Qorvo? (納斯達克股票代碼: QRVO)合作推出 PAC5556A+ICeGaN?評估套件（EVK），將行業領先的電機控制和能效技術整合在一起。該EVK具有Qorvo的高性能無刷直流（BLDC）/永磁同步（PMSM）電機控制器/驅動器和CGD易于使用的ICeGaN IC性能，顯著改善了電機控制應用。

通過采用CGD最新一代P2 IC，配備240 m? ICeGaN的PAC5556AEVK2評估套件在沒有散熱器的情況下實現了高達400W的峰值性能，而配備55 m? ICeGaN的PAC 5556AEVK3在最小氣流冷卻的情況下達到了800W的峰值。ICeGaN的效率實現了降低功耗和提高了電源可用性，并最大限度地降低了溫度，從而實現了更小、更可靠的系統。由于ICeGaN集成了基本的電流感測和米勒箝位元件，因此簡化了柵極驅動器設計，降低了BOM成本。這使得該解決方案易于實施、價格具有競爭力、性能也更高。

PAC5556A+CGD GaN EVK在低速時提供更高的扭矩和精確的控制，使其成為白色家電、吊扇、冰箱、壓縮機和泵的理想選擇。其目標市場包括工業和家庭自動化，特別是在需要緊湊、高效電機控制系統的應用中。PAC5556AEVK2和PAC5556AAVK3可在Qorvo官網采購。CGD將在慕尼黑電子展的展臺展出以上產品，展位號為C3-539。

結語

關于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發與商業化，以實現能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實現的高能效 GaN 解決方案，將創新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術經證明適合大批量生產，并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴大規模。CGD 是一家無晶圓廠企業，孵化自劍橋大學。公司首席執行官兼創始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術背后有不斷擴充的強大知識產權組合做支撐，這也是公司努力創新的結晶。CGD 團隊在技術和商業方面的專業知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現，為其專有技術在市場上的認可程度奠定了堅實的基礎。欲了解更多信息，請訪問 https://camgandevices.com/zh/。