12nm工藝節點，刷新存儲效率

2020年末，美光科技（Micron）率先推出了基于176層TLC NAND的B47R存儲技術，采用更先進的制程，相較于96層TLC NAND，成功縮小了30%的組件體積，并增加高達40%的存儲空間。此外，176層TLC NAND相較現有主流3D TLC支持更高速傳輸，可充分發揮PCIe Gen 4固態硬盤的帶寬優勢。

創新電路架構，解鎖更高性能

目前市場上采用的3D TLC固態硬盤運行速度可達到1200 MT/s。而美光最新推出的B47R存儲，在擁有176層NAND的同時，也對存儲架構進行了重點更新。美光本次采用CuA（CMOS-under-array）架構，通過創新的電路設計打造強大的處理性能，實現高達1600 MT/s的數據傳輸速率，同時將功耗維持在較低的水平，相較舊有同容量SSD盤性能在提高325 MB/s的狀況下，功耗僅上升0.2W，不增加整體系統的電力負荷。

更低延遲，深化應用布局

此外，由于B47R優化讀寫延遲達35%，進一步提升了服務質量（Quality of Service，QoS），可使得存儲裝置能夠迅速地適應數據密集型的環境和工作負載，如數據中心設計、人工智能（AI）引擎、云存儲、邊緣計算和大數據分析等。在5G智能手機的應用上，QoS的提升也意味著更高的應用程序啟動效率，用戶可在不同程序之間無縫切換。結合5G低延遲網絡的傳輸速度，176層NAND運用于盤上可望為用戶帶來更流暢的移動體驗，實現多任務處理和超快的程序響應能力。

在性價比方面，由于176層閃存的存儲密度為早期3D NAND的將近十倍，這使得存儲裝置可以在保有平實價格的前提下，存儲更多的信息、改善人們的日常生活，非常適合移動裝置、車載、客戶端及消費型應用。我們可以期待，高層數存儲會在未來幾年持續促進下游設備的創新和技術發展。

至譽科技精選硬件ｘ自主開發固件

至譽科技與美光科技的合作關系，讓我們可以盡快地導入176層的新型閃存硬件。至譽科技的CFexpress存儲卡產品線與即將推出的E1.S固態硬盤皆支持176層閃存，順序寫入性能相較舊有提升至1.5倍左右。另外，至譽科技自主開發的固件算法，讓我們可以打造出擁有工業級和商用級性能的解決方案。更多產品和商業信息，請聯系我們了解：sales@exascend.com