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KEYENCE基恩士推出SI-F80R系列分光干涉式激光位移計(jì)

供稿：基恩士（中國）有限公司 2011/10/14 15:44:24
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產(chǎn)品索引

分光干涉式晶片厚度計(jì)

采用近紅外 SLD，即使已貼附 BG 帶也可測量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于圖案而產(chǎn)生的顯著差異，也可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的生產(chǎn)線上測量。

產(chǎn)品特性

精確的只測量晶片厚度

關(guān)于本產(chǎn)品的詳細(xì)內(nèi)容，請使用右上方的圖標(biāo)下載目錄后確認(rèn)。

SI-F80R 系列使用近紅外 SLD，可穿過硅、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、非晶硅及其它半導(dǎo)體。即使晶片已封上 BG（背磨）膠帶，也可精確測出晶片厚度。

幾乎不受晶片圖案的影響

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通過減小光點(diǎn)直徑和光點(diǎn)內(nèi)的表面相差，可最大限度的減少晶片表面圖案的變化和測量警報的發(fā)生次數(shù)。

之前的所有問題迎刃而解

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[傳統(tǒng)方式] 接觸式測量		使用兩個傳感器一上一下不接觸晶片進(jìn)行測量


• 測量時可能會損壞晶片。 • 傳感器將測量包括 BG 膠帶在內(nèi)的高度，一旦膠帶厚度發(fā)生變化，整個結(jié)果就會出現(xiàn)誤差。		• 很難在一條直線上對齊兩個傳感器的光軸。 • 傳感器將測量包括 BG 膠帶在內(nèi)的厚度，一旦膠帶厚度發(fā)生變化，整個結(jié)果就會出現(xiàn)誤差。



緊靠生產(chǎn)線進(jìn)行簡單精確的測量		在生產(chǎn)線中持續(xù)監(jiān)控


• 只需將傳感器放在距離晶片 80 mm 的位置，即可輕松進(jìn)行測量。 • 不接觸晶片，避免晶片損傷。 • 傳感器可直接只測量晶片厚度，因此測量不受 BG 膠帶的影響。		• 小巧的傳感頭可安裝在距離晶片 80 mm 的位置，因此可在拋光的同時在設(shè)備內(nèi)部持續(xù)監(jiān)控晶片厚度。

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